- მზის მოდულის სახით აწყობილი – ადვილად შედარებადი ფოტოელექტრული სისტემების ენერგომოხმარებასთან და სისტემის მუშაობასთან
უჯრედის ტემპერატურის დამატებითი ვარიანტი, როგორც მოდულის ტემპერატურის პირდაპირ გაზომვის ალტერნატივა
გამომავალი სიგნალი: 0 … 10 V გამოსხივებისა და უჯრედის ტემპერატურისთვის
სილიკონის გამოსხივების სენსორები წარმოადგენენ ეკონომიურ, მაგრამ გამძლე და საიმედო გადაწყვეტას გამოსხივების გაზომვისთვის. ფოტოელექტრული მოდულის შესაბამისი სენსორული ელემენტის კონსტრუქციის საფუძველზე, ისინი იდეალურია ფოტოელექტრული სისტემების მონიტორინგისთვის. განსაკუთრებით სპექტრული რეაქცია, რომელიც შედარებადია ფოტოელექტრულ მოდულებთან, ასევე მსგავსი დახრილობის შეცდომა (დაცემის კუთხის მოდიფიკატორი), საშუალებას იძლევა ფოტოელექტრული ენერგიის გამომუშავების ზუსტი ანალიზი Si სენსორის მონაცემების გამოყენებით.
| Sensor | Si-V-10TC | Si-V-10-TC-T |
|---|---|---|
| Ordner No. | S68120 | S68261 |
| Solar cell | Monocrystalline silicon (50 x 33 mm) | |
| Measurement uncertainty Irradiance | ± 5 W/m² ±2.5% of reading valid for temperature compensation, spectrum AM 1.5 and vertical light beam | |
| Measurement uncertainty Internal temp. measurement | 1.0 K @ -35 … 70 °C 1.1 K @ -35 … 80 °C | |
| Response time (99%) | 0.15 s | |
| Offset | 2 W/m² | |
| Non-Linearity | 0.10 % | |
| Temperature dependance | 0.40 % @ -35 … 80 °C | |
| Power supply | 24 VDC (12 … 28 VDC) typ. < 1 mA power consumption | 24 VDC (12 … 28 VDC) typ. < 2 mA power consumption |
| Load impedance | min. 100 kΩ | |
| Output signal irradiance | 0 … 10 V @ 0 … 1500 W/m² | |
| Output signal cell temperature | 0 … 10 V @ -40 … 90 °C | |
| Sensor connection | LiYC11Y 4 x 0.14 mm² UL20233; length typical 3 m, UV- and temperature resistant | |
| Operating temperature | -35 … +80 °C | |
| Housing material | Powder-coated aluminium, IP 65 | |
| Dimensions / Weight | 155 x 85 x 39 mm / approx. 350 g | |
| Manufacturer | Ingenieurbüro Mencke & Tegtmeyer GmbH | |
